Blue Light Semiconductor Laser Structure and Working Principle

Afhængigt af det aktive regionmateriale, varierer båndgapbredden på halvledermaterialet i det blå lyshalvlederlaser, så halvlederlaseren kan udsende lys i forskellige farver. Det aktive regionmateriale i det blå lyshalvlederlaser er GaN eller Ingan. Strukturen af ​​en typisk GaN-baseret laser er vist i figur 1. Fra bund til top i Z-retningen er det N-elektrode, GaN-substrat, N-type A1Gan Nedre indeslutningslag, N-type Hgan nedre bølgelagslag, P-quantum brønd (MQW) Aktiv region, utilsigtet doped Hgan øvre bølgeguidlag, P-Type Electring Block (EQW) Active Region, UNTIONALT DOPED, DOPED, DOPER,, P-P-TYPE ELECTRON BLOCING (EQW (EQW) P-type A1Gan øvre indeslutningslag, P-type GaN-lag og P-elektrode

Det materielle brydningsindeks for multi-kvantum brøndaktiv region (MQW'er) er det højeste, og brydningsindekset for materialerne på begge sider af den aktive region viser en faldende tendens. Gennem fordelingen af ​​brydningsindekset for materialet i Z -retningen med højt i midten og lavt over og nedenfor, kan det lette felt i Z -retningen begrænses mellem de øvre og nedre bølgelederlag. I y-retningen fjernes en del af P-typelaget på begge sider af laseren ved ætsning, og et tyndt lag af siliciumdioxid (SiO2) afsættes til sidst, hvilket til sidst danner en rygstruktur. Brydningsindekset for siliciumdioxid og luft er mindre end det for P-typen, så brydningsindekset i Y-retningen er højt i midten og lav på begge sider, og det lette felt er begrænset til midten af ​​ryggen. På grund af den begrænsende virkning af y- og z -retningen på det lette felt, præsenterer det lette felt i YZ -planet en elliptisk fordeling. I X -retning kan overfladerne for og baghuller dannes ved mekanisk spaltning eller ætsning, og refleksionsevnen af ​​overfladerne for og baghulen kan justeres ved at fordampe den dielektriske film. Normalt er reflektiviteten af ​​det forreste hulrumsoverflade mindre end den bageste hulrumsoverflade for at sikre, at laseren udsendes fra det forreste hulrumsoverflade.