50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip
  • 50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip er fotodiode med intern forstærkning produceret ved påføring af en omvendt spænding. De har et højere signal-til-støj-forhold (SNR) end fotodioder, samt hurtig tidsrespons, lav mørkestrøm og høj følsomhed. Spektralt responsområde er typisk inden for 900 - 1650 nm.

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

1. Sammenfatning af 50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip er fotodiode med intern forstærkning produceret ved påføring af en omvendt spænding. De har et højere signal-til-støj-forhold (SNR) end fotodioder, samt hurtig tidsrespons, lav mørkestrøm og høj følsomhed. Spektralt responsområde er typisk inden for 900 - 1650 nm.

2. Introduktion af 50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip er fotodiode med intern forstærkning produceret ved påføring af en omvendt spænding. De har et højere signal-til-støj-forhold (SNR) end fotodioder, samt hurtig tidsrespons, lav mørkestrøm og høj følsomhed. Spektralt responsområde er typisk inden for 900 - 1650 nm.

3. Funktioner af 50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

Registreringsområde 900nm-1650nm;

Høj hastighed;

Høj responsivitet;

Lav kapacitans;

Lav mørk strøm;

Topbelyst plan struktur.

4. Anvendelse af 50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

Overvågning;

Fiberoptiske instrumenter;

Datakommunikation.

5. Absolutte maksimumvurderinger på 50um InGaAs lavinefotodiodechip

Parameter Symbol Værdi Enhed
Maksimal fremadgående strøm - 10 mA
Maksimal spænding Forsyning - VBR V
Driftstemperatur Topr -40 til +85
Stuetemperatur Tstg -55 til +125

6. Elektro-optiske egenskaber (T=25℃) af 50um InGaAs lavinefotodiodechip

Parameter Symbol Tilstand Min. Typ. Maks. Enhed
Bølgelængdeområde λ   900 - 1650 nm
Nedbrydningsspænding VBR Id = 10uA 40 - 52 V
Temperaturkoefficient for VBR - - - 0.12 - V/℃
Responsivitet R VR =VBR -3V 10 13 - A/W
Mørk strøm ID VBR -3V - 0.4 10.0 nA
Kapacitans C VR =38V, f=1MHz - 8 - pF
Båndbredde Bw - - 2.0 - GHz

7. Dimensionsparameter på 50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

Parameter Symbol Værdi Enhed
Aktivt områdes diameter D 53 um
Bond pad diameter - 65 um
Die størrelse - 250x250 um
Dys tykkelse t 150±20 um

8. Levering, forsendelse og servering af 50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

Alle produkter er testet inden afsendelse;

Alle produkter har 1-3 års garanti.(Efter kvalitetsgarantiperioden begyndte at opkræve passende vedligeholdelsesservicegebyr.)

Vi sætter pris på din forretning og tilbyder en øjeblikkelig 7 dages returret. (7 dage efter modtagelse af varerne);

Hvis de varer, du køber i vores butik, ikke er af perfekt kvalitet, det vil sige, at de ikke fungerer elektronisk i henhold til producentens specifikationer, skal du blot returnere dem til os for udskiftning eller refundering;

Hvis varerne er defekte, bedes du give os besked inden for 3 dage efter levering;

Alle varer skal returneres i deres oprindelige stand for at kvalificere sig til en refusion eller ombytning;

Køber er ansvarlig for alle afholdte fragtomkostninger.

8. FAQ

Q: Hvad er det aktive område, du gerne vil have?

A: vi har 50um 200um 500um aktivt område InGaAs Avalanche Photodiode Chip.

Q: Hvad er kravet til stikket?

A: Box Optronics kan tilpasses efter dine krav.

Hot Tags: 300um InGaAs Photodiode Chip, Producenter, Leverandører, Engros, Fabrik, Tilpasset, Bulk, Kina, Fremstillet i Kina, Billig, Lav Pris, Kvalitet

Relateret kategori

Send forespørgsel

Du er velkommen til at give din forespørgsel i nedenstående formular. Vi svarer dig inden for 24 timer.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept